ICS 29.045 H 82 中华人民共和国国家标准 GB/T25074—2017 代替GB/T25074—2010 太阳能级多晶硅 Solar-grade polycrystalline silicon 2018-05-01实施 2017-11-01发布 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T250742017 前言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T25074一2010《太阳能级多晶硅》。本标准与GB/T25074一2010相比，主要变动 如下： -增加了规范性引I用文件GB/T13389、GB/T14264、GB/T14844、GB/T24582、GB/T29057、 GB/T29849、GB/T31854，删除了SEMIMF1535（见第2章，2010年版的第2章）； 技术指标划分等级中增加了特级品的指标要求（见5.1）； 一将技术指标中各等级施/受主杂质浓度、少数载流子寿命、基体金属杂质含量的要求进行了修 订，并增加了表面金属杂质含量要求（见5.1，2010年版的4.1）； 一细化了块状多晶硅尺寸范围（见5.2.1，2010年版的4.2）； 一 增加了致密料、菜花料、珊瑚料的表面质量要求（见5.3.1）； 包装要求不再局限于固定重量，不同需求依据供需双方协商（见8.2，2010年版的7.1)； 一增加附录A“太阳能级多晶硅参考技术指标”，将导电类型和电阻率作为参考项（见附录A）。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。 本标准起草单位：洛阳中硅高科技有限公司、多晶硅材料制备国家工程实验室、有色金属技术经济 研究院、江苏中能硅业科技发展有限公司、新特能源股份有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、内蒙古神 舟硅业有限责任公司、亚洲硅业（青海）有限公司。 本标准主要起草人：严大洲、万烨、丹克力、张园园、付雷、楚东旭、赵雄、杨素心、刘晓霞、贺东江、 邱艳梅、刘淑萍、李卫南、宗冰、穆彩霞。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： GB/T25074—2010。 1 GB/T25074—2017 太阳能级多晶硅 1范围 本标准规定了太阳能级多晶硅的术语和定义、牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包 装、运输、贮存和质量证明书 本标准适用于以氯硅烷、硅烷为原料生长的棒状多晶硅或经破碎形成的块状多晶硅， 规范性引用文件 2 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单适用于本文件。 GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法 GB/T1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T 4059 硅多晶气氛区熔基磷检验方法 GB/T 4060 硅多晶真空区熔基硼检验方法 GB/T13389 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T14844 半导体材料牌号表示方法 GB/T24574 硅单晶中Ⅲ-V族杂质的光致发光测试方法 GB/T24581 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、V族杂质含量的测试方法 GB/T 24582 酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质 GB/T 29057 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程 GB/T 29849 光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法 GB/T31854 光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法 3 术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。 4牌号及分类 4.1牌号 太阳能级多晶硅产品牌号应符合GB/T14844的规定。 4.2分类 太阳能级多晶硅根据外形分为块状和棒状，根据导电类型分为N型和P型，根据技术指标的差别 1 GB/T25074—2017 分为四级。 5要求 5.1技术指标 太阳能级多晶硅的等级及对应技术指标要求应符合表1的规定，参考技术指标（导电类型、电阻率） 参见附录A。 表1太阳能级多晶硅技术指标 技术指标 项目 特级品 1级品 2级品 3级品 施主杂质浓度/10-"（ppba） 89°0> ≤1.40 ≤2.61 ≤6.16 受主杂质浓度/10-（ppba） ≤0.26 ≤0.54 88'0% ≤2.66 氧浓度/（atoms/cm） ≤0.2×1017 ≤0.5×1017 ≤1.0X1017 ≤1.0×1017 碳浓度/（atoms/cm） ≤2.0X1016 ≤2.5X1016 ≤3.0X1016 ≤4.0×1016 少数载流子寿命/μs ≥300 ≥200 ≥100 ≥50 基体金属杂质含量/（ng/g） ≤15 09V 100 ≤100 Fe,Cr,Ni,Cu,Zn 表面金属杂质含量/（ng/g） 08 ≤100 ≤100 ≤100 Fe、Cr.Ni,Cu、Zn.Na 5.2尺寸 5.2.1破碎的块状多晶硅具有无规则的形状，尺寸随机分布，其线性尺寸应不小于3mm，不大于 200mm。若有其他尺寸要求或单独包装时，可由供需双方协商确定。多晶硅混装比例如下： a）小于3mm，混装时不超过总重量的1%； b）3mm~25mm，混装时不超过总重量的10%： c）25mm~70mm，混装时占总重量的30%~50%； d）70mm~200mm，混装时占总重量的50%～60%。 5.2.2棒状多晶硅的直径、长度可由供需双方商定，并在合同中注明。 5.3表面质量 5.3.1 多晶硅免洗或经过清洗后应达到直接使用的要求，多晶硅表面质量的分类要求一般如下： 致密料：表面颗粒凹陷深度小于5mm，断面结构致密，外观无异常颜色，无氧化夹层； a) b) 菜花料：表面颗粒凹陷深度5mm~20mm，外观无异常颜色，无氧化夹层； c) 珊瑚料：断面结构疏松，凹陷深度20mm，外观无异常颜色，无氧化夹层。 5.3.2 多晶硅的表面质量的其他分类要求，由供需双方商定。 6试验方法 6.1对多晶硅进行施主杂质浓度、受主杂质浓度、氧浓度、碳浓度、少数载流子寿命、导电类型、电阻率 2 GB/T25074—2017 按GB/T1551和GB/T13389规定的方法换算得出。仲裁检验按GB/T24581的规定进行。 6.3多晶硅中氧浓度的测定按GB/T1557的规定进行。 6.4多晶硅中碳浓度的测定按GB/T1558的规定进行。 6.5多晶硅少数载流子寿命的测定按GB/T1553的规定进行。 6.6多晶硅基体金属杂质含量的测定按GB/T31854的规定进行。 6.7多晶硅表面金属杂质含量的测定按GB/T24582或GB/T29849的规定进行。仲裁检验按 GB/T29849的规定进行。 6.8多晶硅导电类型的检验按GB/T1550的规定进行。 6.9多晶硅电阻率的测定按GB/T1551的规定进行。 6.10块状多晶硅的尺寸分布范围用过筛检验，或用供需双方商定的方法检验。棒状多晶硅的尺寸用 相应精度的量具测量。 6.11多晶硅的表面质量用目视检查。 7检验规则 7.1检查和验收 7.1.2需方可对收到的产品进行检验。若检验结果与本标准规定不符时，应在收到产品之日起3个月 内向供方提出，由供需双方协商解决。 7.2组批 7.3检验项目 7.3.1每批产品应对施主杂质浓度、受主杂质浓度、氧浓度、碳浓度、少数载流子寿命、尺寸和表面质量 进行检验 7.3.2基体金属杂质含量和表面金属杂质含量为型式检验，其检验频次由供需双方协商确定。 7.3.3导电类型、电阻率的检验由供需双方协商并在合同中注明。 7.4取样 7.4.1每批次多晶硅随机取样，取样数量由供需双方协商确定。 7.4.2供方多晶硅样棒的钻取按GB/T4059、GB/T4060或GB/T29057的规定进行。 值位置按GB/T4060或GB/T29057的规定进行，氧浓度和碳浓度的取值位置按GB/T29057或 GB/T1558的规定进行，少数载流子寿命的取值以区熔单晶硅样棒上的最低寿命值为准。 7.5检验结果的判定 7.5.1施主杂质浓度、受主杂质浓度、氧浓度、碳浓度、少数载流子寿命、基体金属杂质含量、表面金属 杂质含量的检验结果中有任意一项不合格时，则重新取样对不合格的项目进行重复检验，重复检验结果 仍不合格，判该批产品不合格。仲裁检验不再重复取样。 7.5.2尺寸、表面质量、导电类型、电阻率的检验结果不合格时，由供需双方协商解决， 3.