ICS 29.045 H80 GE 中华人民共和国国家标准 GB/T 14264—2009 代替GB/T14264—1993 半导体材料术语 Semiconductor materials-Terms and definitions 2009-10-30发布 2010-06-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T14264—2009 前言 本标准代替GB/T14264一1993《半导体材料术语》。 本标准与GB/T14264一1993相比，有以下变化 增加了218项术语； 一增加了三个资料性附录：包括61项硅技术术语缩写、11项符号和标准术语出处； 一修改了原标准中86项术语内容。 本标准的附录A和附录B为资料性附录 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。 本标准负责起草单位：中国有色金属工业标准计量质量研究所、有研半导体材料股份有限公司、 杭州海纳半导体有限公司和国瑞电子材料有限责任公司 本标准参加起草单位：洛阳单晶硅有限责任公司、峨眉半导体材料厂、宁波立立电子股份有限公司、 南京国盛电子有限公司、南京锗厂有限责任公司、万向硅峰电子股份有限公司、云南东兴集团、西安骊晶 电子技术有限公司、中科院半导体所、上海合晶硅材料有限公司 本标准主要起草人：孙燕、黄笑容、向磊、翟富义、卢立延、郑琪、邓志杰、贺东江。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： GB/T14264—1993。 GB/T14264—2009 半导体材料术语 1范围 本标准规定了半导体材料及其生长工艺、加工、晶体缺陷和表面沾污等方面的主要术语和定义。 本标准适用于元素和化合物半导体材料。 SAC 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有 的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准 ASTMF1241硅技术术语 SEMIM59硅技术术语 3术语 以下术语和定义适用于本标准。 3. 1 受主 acceptor 半导体中的一种杂质，它接受从价带激发的电子，形成空穴导电。 3.2 电阻率允许偏差allowableresistivitytolerance 晶片中心点或晶锭断面中心点的电阻率与标称电阻率的最大充许差值，它可以用标称值的百分数 来表示。 3.3 厚度允许偏差 allowablethicknesstolerance 晶片的中心点厚度与标称值的最大允许差值。 3. 4 各向异性 anisotropic 在不同的结晶学方向具有不同的物理特性，又称非各向同性，非均质性。 3.5 各向异性腐蚀 anisotropicetch 沿着特定的结晶学方向，呈现腐蚀速率增强的一种选择性腐蚀。 3.6 退火 annealing 改变硅片特性的热过程。 3.7 退火片 annealedwafer 在情性气氛或减压气氛下由于高温的作用在近表面形成一个无缺陷（COP)区的硅片。 3.8 脊形崩边 apexchip 从晶片边缘脱落的任何小块材料的区域。该区域至少含有2个清晰的内界面，而形成一条或多条 清晰交叉线。 1 GB/T14264—2009 3. 9 区域沾污 area contamination 在半导体晶片上，非有意地附加到晶片表面上的物质，它的线度远大于局部光散射体。区域沾污可 以是由吸盘印，手指或手套印迹、污迹、蜡或溶剂残留物等形成的晶片表面上的外来物质。 3. 10 区域缺陷 areadefect 无标准定义，参看延伸的光散射体（3.28.6）。 3.11 氩气退火的硅片 argon annealed wafer 在氩气气氛下进行高温退火的硅片。 3.12 自掺杂autodoping（self-doping) 源自衬底的掺杂剂掺入到外延层中。自掺杂源可来自衬底的背面、正面以及边缘、反应器中的其他 衬片，基座或沉积系统的其他部分。 3.13 背封 backseal 在硅片背表面覆盖一层二氧化硅或其他绝缘体的薄膜，以抑制硅片中主要掺杂剂向外扩散。 3.14 背面backside 不推荐使用的术语。如在ASTMF1241中规定的使用术语“背表面”。 3.15 背表面backsurface 半导体晶片的背表面，相对于在上面已经或将要制作半导体器件的暴露表面。 3.16 基底硅片 base silicon wafer 指SOI片，在绝缘薄层下面的硅片，支撑着上层的硅薄膜。 3.17 块状结构 block structure 参见胞状结构（3.27)。 3.18 键合界面 bonding interface 两种晶片之间的键合面。 3.19 键合硅片 bonding wafer 两个硅片键合在一起，中间有绝缘层，这种绝缘层是典型的热生长的二氧化硅。 3.20 弯曲度bow 自由无夹持晶片中位面的中心点与中位面基准平面间的偏离。中位面基准平面是由指定的小于晶 片标称直径的直径圆周上的三个等距离点决定的平面。 3.21 亮点brightpoint 不推荐的术语，参见局部光散射体（LLS）（3.28.3）。 25AC GB/T14264—2009 3.22 埋层buriedlayer 外延层覆盖的扩散区，又称副扩散层或膜下扩散层。 3.23 埋层氧化物（硅）buriedoxide 由氧注人形成的氧化物（氧化硅)层。 3.24 埋层氧化（BOX）buriedoxidelayer 当绝缘层为二氧化硅时，硅片中间的绝缘层。 3.25 载流子浓度 carrier density 单位体积的载流子数目。在室温无补偿存在的条件下等于电离杂质的浓度。空穴浓度的符号为 p,电子浓度的符号为n。 3.26 半导体材料中的载流子carrier，insemiconductormaterials 一种能携带电荷通过固体的载体。例如，半导体中价带的空穴和导带的电子。又称荷申载流子。 3.27 胞状结构cell structure 来源于晶体生长过程中晶体不均一性的畸变，也理解为块状结构。 3.28 晶片的表面检查 checkofwafersurface 3.28.1 扫描表面检查系统（SSIS） scanning surface inspection system 用于晶片整个质量区的快速检查设备，可探测局部光散射体、雾等，也叫做颗粒记数器（particle counter）或激光表面扫描仪（lasersurfacescanner） 3.28.2 激光光散射现象laserlight-scatteringevent 一个超出预置阈值的信号脉冲，该信号是由探测器接收到的激光束与晶片表面局部光散射体相互 作用产生的。 3.28.3 局部光散射体（LLS）localizedlight-scatterer 加。有时称光点缺陷。尺寸足够的局部光散射体在高强度光照射下呈现为光点，这些光点可目视观察 到。但这种观察是定性的。观测局部光散射体用自动检测技术，如激光散射作用，在能够区分不同散射 强度的散射物这一意义上，自动检测技术是定量的。LLS的存在也未必降低晶片的实用性。 3.28.4 光点缺陷（LPD） light point defect 不推荐的术语，参见局部光散射体（LLS）（3.28.3）。 注2：LPD是通用的术语，它包括类似乳胶球和其他可检测到的表面不平整性。 3.28.5 乳胶球当量（LSE）latexsphereequivalence 用一个乳胶球的直径来表示一个局部光散射体（LLS）的尺寸单位，该乳胶球与局部光散射体 (LLS)具有相同光散射量。用"LSE”加到使用的长度单位来表示，例如0.2μmLSE。 3