ICS 31.080. 01 L 40 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T 11499—2001 半导体分立器件文字符号 Letter symbols for discrete semiconductor devices 2001-11-05发布 2002-06-01实施 中华人民共和国 发布 国家质量监督检验检疫总局 GB/T 11499—2001 目 次 前言 范围 1 2 总则 3 整流二极管 信号二极管包括开关二极管和调整二极管. 4 10 5 射频二极管·. 13 6 光电子器件 24 7 闸流晶体管 双极晶体管 28 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 33 10 场效应晶体管 34 11 其他半导体器件 38 GB/T 11499—2001 前 言 本标准参照了下列国际标准的有关文字符号的内容,对GB/T11499—1989进行修订: IEC60747半导体器件分立器件和集成电路 IEC 60747-1:1983 第1部分总则 IEC 60747-1:1991 第一次补充 IEC 60747-1:1993 第二次补充 IEC60747-1:1996 第三次补充 IEC 60747-2:2000 第2部分整流二极管 IEC 60747-3:1985 第3部分信号二极管(包括开关二极管)和调整二极管 IEC 60747-3:1991 第一次补充 IEC 60747-3:1993 第二次补充 IEC 60747-4:1991 第4部分微波器件 IEC 60747-4:1993 第一次补充 IEC 60747-4:1999 第二次补充 IEC 60747-5:1992 第5部分光电子器件 IEC 60747-5:1994 第一次补充 IEC 60747-5:1995 第二次补充 IEC 60747-6:1983 第6部分闸流晶体管 IEC 60747-6:1991 第一次补充 IEC 60747-6:1994 第二次补充 IEC 60747-7:1988 第7部分双极晶体管 IEC 60747-7:1991 第一次补充 IEC 60747-7:1994 第二次补充 IEC 60747-8:1984 第8部分场效应晶体管 IEC 60747-8:1991 第一次补充 IEC 60747-8:1993 第二次补充 IEC 60747-9:1998 第9部分绝缘栅双极晶体管 本标准与原标准的主要差别是: 原标准全文中“功率耗散”都改为“耗散功率”; 修改了原标准中“2.1.1.2大写基本字母”; 修改了原标准中“2.1.3电流、电压和功率文字符号规则汇总表”; 修改了原标准中“2.3其他量的文字符号”; 修改了原标准中“2.4其他参数”中的部分内容; 删除了原标准中“6.2.2.2其他”中的部分内容; 补充了“2.1.5电流、电压极性标记”; 补充了“2.5用分贝(dB)表示的以对数形式为单位的信号比的文字符号”; 补充了“6.1.1开关时间”; 补充了“第9章绝缘栅双极晶体管”。 I GB/T 11499—2001 本标准自实施之日起,代替GB/T11499—1989《半导体分立器件文字符号》。 本标准由中华人民共和国信息产业部提出。 本标准由全国半导体分立器件标准化分技术委员会归口。 本标准由河北半导体研究所负责修订。 本标准主要起草人:崔波、顾振球、陈海蓉。 本标准首次发布时间:1989年3月31日。 IV 中华人民共和国国家标准 GB/T 11499—2001 半导体分立器件文字符号 代替GB/T11499—1989 Letter symbols fordiscretesemiconductordevices 1范围 本标准规定了半导体分立器件主要的文字符号。本标准适用于编写半导体分立器件有关标准和有 关技术资料。 2总则 2.1电流、电压和电功率的文字符号 2.1.1基本字母 推荐的基本字母有: Ii—电流 U,u或V,—电压 P,p——功率 2.1.1.1大写基本字母的使用 大写基本字母用来表示量的恒定值或从量的周期性波形中得到的值: a)直流值; b)最大(峰)值; c)平均值; d)方均根值; e)峰峰(摆幅)值。 SC 2.1.1.2小写基本字母的使用 小写基本字母用来表示量的周期性波形的瞬态值。 2.1.2下标 2.1.2.1推荐的通用下标 第一下标:F,f—一正向 n—噪声 R,r——反向 其他下标:(AV)——平均值 (BR)击穿 (cr),cr——临界 (D)—直接 M(MAx),m(max) 相对于时间的最大(峰)值 MIN,min- 相对于时间的最小(峰)值 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局2001-11-05批准 2002-06-01实施 1

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